一、對(duì)銅箔的需求:

PCB全都向高密度細(xì)線化發(fā)展，HDI板尤為突出。在十年前IPC為HDI板下的定義是線寬/線距(L/S)是0.1mm/0.1mm及以下，現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)基本做到常規(guī)L/S為60μm，先進(jìn)的L/S為40μm。日本的2013年版安裝技術(shù)路線圖數(shù)據(jù)是2014年HDI板常規(guī)L/S為50μm，先進(jìn)的L/S為35μm，試制性的L/S為20μm。

PCB線路圖形形成，傳統(tǒng)的是銅箔基板上光致成像后化學(xué)蝕刻工藝(減成法)，減成法制作精細(xì)線路的限度最小約在30μm，并且需要用薄銅箔(9~12μm)基板。由于薄銅箔CCL價(jià)格高，及薄銅箔層壓缺陷多，較多工廠產(chǎn)生18μm銅箔然后生產(chǎn)中采取蝕刻減薄銅層。這種做法工序多、厚度控制難、成本高，還是希望用薄銅箔為好。還有，PCB線路L/S小于20μm情況下，一般薄銅箔也難以勝任，需要用到超薄銅箔(3~5μm)基板和附于載體的超薄銅箔。

當(dāng)前精細(xì)線路對(duì)銅箔要求除了厚度更薄外，同時(shí)需要銅箔表面低粗糙度。通常為提高銅箔與基材的結(jié)合力，確保導(dǎo)體抗剝強(qiáng)度，都采取銅箔層粗化處理，常規(guī)的銅箔粗糙度大于5μm。銅箔粗糙的凸峰嵌入基材是提高了抗剝離性，但在線路蝕刻時(shí)為控制導(dǎo)線精度不至過(guò)蝕刻，容易有嵌入基材凸峰殘留，造成線路間短路或絕緣性下降，對(duì)精細(xì)線路尤為嚴(yán)重。因此需要低粗糙度(小于3μm)的銅箔，甚至更低粗糙度(1.5μm)的銅箔。

二、積層絕緣介質(zhì)片的需求:

HDI板技術(shù)特點(diǎn)是積成法工藝(BuildingUpProcess)，常用的涂樹(shù)脂銅箔(RCC)，或者半固化環(huán)氧玻璃布與銅箔層壓的積層難以達(dá)到精細(xì)線路。現(xiàn)在趨于采用半加成法(SAP)或改進(jìn)型半加工法(MSAP)，即采用絕緣介質(zhì)膜積層，再化學(xué)鍍銅形成銅導(dǎo)體層，因銅層極薄容易形成精細(xì)線路。

半加成法技術(shù)重點(diǎn)之一是積層介質(zhì)材料，為符合高密度細(xì)線路要求對(duì)積層材料提出介質(zhì)電氣性、絕緣性、耐熱性、結(jié)合力等要求，以及與HDI板工藝適應(yīng)性。目前國(guó)際上的HDI積層介質(zhì)材料主要是日本味之素公司的ABF/GX系列產(chǎn)品，以環(huán)氧樹(shù)脂搭配不同固化劑，以添加無(wú)機(jī)粉末提高材料剛性及減少CTE，也有使用玻纖布增強(qiáng)剛性。另有日本積水化學(xué)公司的類似薄膜積層材料，臺(tái)灣工研院也開(kāi)發(fā)了此類材料。ABF材料也在不斷改進(jìn)發(fā)展，新一代積層材料特別要求表面低粗化度、低熱膨脹率、低介質(zhì)損耗及薄型剛強(qiáng)化等。

全球半導(dǎo)體封裝中IC封裝載板由有機(jī)基板取代陶瓷基板，倒裝芯片(FC)封裝載板的節(jié)距越來(lái)越小，現(xiàn)在典型的線寬/線距為15μm，接下來(lái)會(huì)更細(xì)。多層的載板性能重點(diǎn)要求低介電性、低熱膨脹系數(shù)和高耐熱性，在滿足性能目標(biāo)基礎(chǔ)上追求低成本的基板?，F(xiàn)在精細(xì)線路批量化生產(chǎn)基本都采用絕緣介質(zhì)積層結(jié)合壓薄銅箔的MSPA工藝。用SAP方法制造L/S小于10μm電路圖形。

PCB達(dá)到更密更薄則HDI板技術(shù)從含芯板積層發(fā)展為無(wú)芯板任意層互連積層(Anylayer)，同樣功能的任意層互連積層HDI板比含芯板積層HDI板面積和厚度可減少約25%。這些必須使用更薄的并保持電性能良好的介質(zhì)層。線路板生產(chǎn)廠家

本站相關(guān)網(wǎng)頁(yè)素材及相關(guān)資源均來(lái)源互聯(lián)網(wǎng)，如有侵權(quán)請(qǐng)速告知，我們將在24小時(shí)內(nèi)刪除！